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中图晶圆关键尺寸及套刻量测系统,可以对Wafer的关键尺寸进行测量,对套刻偏移量的测量,以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的测量,包括镭射切割的槽宽、槽深等自动测量。*mm真空吸附平台,可支持12寸Wafer的自动测量。配置扫描枪等,可满足产线的全自动化生产需求。

系统的布局结构

上/下料区:Robot自动抓取Wafer至寻边器平台;

定位区:寻边器对Wafer自动轮廓识别,旋转校正到设定姿态;

测量区:自动测量平台,包含2D和3D量测模组,内部有温湿度监控及除静电装置;

一、上/下料区:Robot自动上下料区

图1.Robot自动上下料区

二、定位区:寻边器自动识别出wafer轮廓,旋转校正到设定姿态。

图2.Robot将Wafer放在寻边器上图3.自动识别出wafer轮廓

三、测量区:自动测量平台

图4.自动测量平台

四、应用案例

1.Wafer关键尺寸、套刻偏移量测量

图5.Wafer关键尺寸测量图6.套刻偏移量测量

2.镭射切割槽测量

图7.Wafer镭射槽图8.镭射槽3D图像图9.镭射槽测量数据

3.表面粗糙度测量

图10.Wafer减薄片图11.研磨后3D图像图12.粗糙度测量数据

自动化测量部分视频

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关键尺寸及套刻量测系统可以根据不同需求定制。



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